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P+F傳感器的材質(zhì)取決于其類型和應(yīng)用

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2022-04-14 10:53:49  瀏覽次數(shù):97
核心提示:P+F傳感器的材質(zhì)取決于其類型和應(yīng)用。例如,數(shù)字,模擬,接近和圖像傳感器都具有自己的材料,結(jié)構(gòu),制造設(shè)計和包裝。大多數(shù)制造商通常采用新的傳感器(如MEMS)的材料和制造設(shè)計。電子產(chǎn)品中使

P+F傳感器的材質(zhì)取決于其類型和應(yīng)用。例如,數(shù)字,模擬,接近和圖像傳感器都具有自己的材料,結(jié)構(gòu),制造設(shè)計和包裝。大多數(shù)制造商通常采用新的傳感器(如MEMS)的材料和制造設(shè)計。電子產(chǎn)品中使用的材料主要起著兩個作用——發(fā)揮主動或被動的作用。被動材料用于提供機械結(jié)構(gòu)或電氣連接。這些材料中的某些材料(如硅和砷化鎵)也可以用作有源和無源材料。活性物質(zhì)對于微電子,光敏,壓電,磁阻和化學(xué)電阻膜的傳感過程比較重要。
 
       薄膜或厚膜形式的微傳感器材料在P+F傳感器傳感系統(tǒng)中有重要作用。這些設(shè)備使用化學(xué)氣相沉積(CVD)或低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)以及某些技術(shù)(例如電化學(xué)沉積)制造。比如元素硅在自然界中不存在,但存在于氧化物和硅酸鹽等化合物中。硅是豐富的,相對便宜的,并且具有許多可用于傳感器應(yīng)用的物理特性。可以在硅襯底上沉積具有所需特性的材料層。單晶硅是使用較廣的半導(dǎo)體材料,且它可以通過用氧化物真空沉積到氧化的硅晶片上來形成多晶層。多晶硅結(jié)構(gòu)可以通過離子注入或其他設(shè)計摻雜硼或其他元素,以達所需的導(dǎo)電性。
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