功率器件CV測試系統方案
普賽斯半導體功率器件C-V測試系統主要由源表、LCR表、矩陣開關和上位機軟件組成。LCR表支持的測量頻率范圍在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)負責提供可調直流電壓偏置，通過矩陣開關加載在待測件上。
進行 C-V 測量時，通常在電容兩端施加直流偏壓，同時利用一個交流信號進行測量。一般使用的交流信號頻率在10KHz 到1MHz之間。所加載的直流偏壓用作直流電壓掃描，掃描過程中測試待測器件待測器件的交流電壓和電流，從而計算出不同電壓下的電容值。詳詢一八一四零六六三四七六；
系統優勢
高精度、大動態范圍：提供0V~3500V偏壓范圍，精度0.1%；
內置CV測試：內置自動化CV測試軟件，包含C-V（電容-電壓），C-T（電容-時間），C-F（電容-頻率）等多項測試測試功能;
兼容IV測試：同時支持擊穿特性以及漏電流特性測試；
實時曲線繪制：軟件界面直觀展示項目測試數據及曲線，便于監控；
擴展性強：系統采用模塊化設計，可根據需求靈活搭配；
基本參數
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LCR |
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測試頻率 |
10Hz-1MHz |
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頻率輸出精確度 |
±0.01% |
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基本準確度 |
±0.05% |
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AC測試信號準位 |
10mV至2Vrms (1m Vrms 解析度) |
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DC測試信號準位 |
10mV至2V (1m Vrms 解析度) |
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輸出阻抗 |
100Ω |
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量測范圍 |
|Z|, R, X |
0.001mΩ–99.999MΩ |
|Y|, G, B |
0.1nS–99.999S |
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Cs、Cp |
0.01pF – 9.9999F |
Ls Lp |
0.1nH–9.999kH |
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D |
0.00001-9.9999 |
Q |
0.1-9999.9 |
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DCR |
0.001mΩ–9.999MΩ |
Δ% |
-9999%-999% |
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θ |
-180° -+180° |
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SMU |
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VGS范圍 |
0 - ±30V(選配) |
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IGSS/IGES |
≥10pA(選配) |
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VDS范圍 |
0 - ±300V |
0 - ±1200V |
0 - ±2200V |
0 - ±3500V |
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IDSS/ICES |
≥10pA |
≥1nA |
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源測精度 |
0.03% |
0.1% |
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功能 |
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測試方式 |
點測、圖形掃描 |
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測試參數 |
DIODE:CJ、IR、VR MOSFET:Ciss、Coss、Crss、Rg、IDSS、IGSS、BVDSS IGBT:Cies、Coes、Cres、ICES、IGES、VBRCES |
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接口 |
RS232、LAN |
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編程協議 |
SCPI、LabView |
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半導體電學特性測試系統CV+IV測試儀
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